台积电推出N7P和N5P制程

晶圆代工龙头台积电先进制程又有新产品推出！根据国外科技媒体《anandtech》报导，台积电已悄然推出 7 纳米深紫外 duv（n7）和 5 纳米极紫外 euv（n5）制程的性能增强版本。两代号称为 n7p 和 n5p 制程技术，专门为需要 7 纳米设计运算更快，或消耗电量更少的客户所设计。

报导指出，台积电全新 n7p 制程技术采用与 n7 相同设计规则，但优化前端（feol）和中端（mol）架构，可在相同耗能下，将性能提升 7%，或者在相同的性能频率下，降低 10% 的能耗。

全新的 n7p 制程技术，台积电最早是于今年在日本举办的 vlsi 研讨会透露相关讯息，不过没有广泛宣传。n7p 目前采用经验证的深紫外（duv）光刻技术，与 n7 制程技术相比，没有改变电晶体密度。针对需要电晶体密度高出约 18%~20% 的客户，台积电预计建议使用 n7+ 或 n6 制程技术。n6 制程技术是透过极紫外（euv）光刻技术进行晶圆多层处理。

报导进一步指出，除了 n7p 的新制程技术，台积电下一个有显着电晶体密度提升、改进功耗和性能的主要制程节点，就是 5 纳米 n5 制程技术。台积电为此特提供定名为 n5p 的性能增强版本，采用 feol 和 mol 优化功能，以便在相同功率下使芯片运行速度提高 7%，或在相同频率下将功耗降低 15%。